日本电产开发出了世界上第一驱动系统使用无磁的电机驱动的基于碳化硅逆变器，日本电产公司新泽西州，+0.50％，公司今天宣布，日本电产研发中心已经开发了基于的SiC电机驱动系统（碳化硅;下一代半导体）逆变器。在日本电产研发中心已经成功地使使用用碳化硅基于逆变器无磁的电机驱动系统是世界上第一个概念模型，通过应用上述驱动技术的SR电机（开关磁阻电机），这是免费的永久磁铁，但需要特殊的控制。

　　1.需要使用的SiC基于逆变器的电机驱动系统

　　未来驱动系统应该是紧凑的低功耗，重量轻和。首先，低功耗是实现全绿色创新的一个社会中最重要的挑战，因为电机驱动设备的功耗占整体功耗的在日本（*）57.3％。

　　*资料来源：研究与发展协会为未来电子设备“上电仪表功耗的现在和未来的发展趋势调查报告”对2009年3月23日发行

　　响应于上述的社会状况，功率半导体器件，例如SiC和GaN（氮化镓） - 这是优于目前的硅器件 - 已经开发出来。在日本电产研究和发展中心已成功地应用这些以一种紧凑，重量轻的电动机驱动系统中，重点对SiC半导体它提供降低功率损耗，提高了耐热性和更高的电流容量。上述概念模型的体积和重量为32％，而传统的电动机驱动系统，包括电动机和逆变器，分别为69％。因此预计的低功率损耗的特征将有助于降低功耗。

　　使用碳化硅基于逆变器的电机驱动系统的2技术

　　电动机驱动系统由日本电产研究开发中心所需要的电路技术，以实现充分的SiC功率半导体的性能的设计，分析和热分析技术，以便在逆变器电路组件的热管理。

　　řSiC功率半导体器件的研发已经进行了几十年的京都大学。它使用了由日本电产研发中心的SiC功率半导体器件是通过日本电产公司参与日本科学技术振兴机构京都超级集群项目开发。这是由多所高校推广，首先是京都，异口同声地与企业和公共研究机构工作。京都超级集群计划的一个核心机构是先进的科学技术与京都的管理科学研究所。具体而言，日本电产研发中心已与ROHM，其总部设在右京区市联合协作取得了开放式创新;与尼吉康，其总部设在中京区的城市;与京都大学，大阪大学，日本立命馆大学。在日本电产研发中心也取得了合作研究与横滨国立大学的电机驱动系统，包括电路仿真的基于碳化硅逆变器的热分析技术。